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Rohm Semiconductor SCT3030KLGC11
| Artikelnummer: | SCT3030KLGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1200V 72A TO247N |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $77.029 |
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Rohm Semiconductor SCT3030KLGC11 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SCT3030KLGC11.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA Vgs (Max) +22V, -4V Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device-Gehäuse TO-247N Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 27A, 18V Verlustleistung (max) 339W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Paket Tube Betriebstemperatur 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2222 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 131 nC @ 18 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc) Grundproduktnummer SCT3030 SCT3030KLGC11 Einzelheiten PDF [English] SCT3030KLGC11 PDF - EN.pdf -
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